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使用T3Ster对宇航级电子元器件内部热特性的测量

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发表于 2012-11-6 10:52:45 | 显示全部楼层 |阅读模式

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这篇文章介绍了MicReD公司研发制造的热测试仪T3Ster。T3Ster测试仪可以测试各类IC、LED、散热器、热管等电子器件的热特性以及PCB、导热材料等的热阻、热容及导热系数、接触热阻等热特性。使用T3Ster测试仪对某航天器用电子元器件内部热特性进行了测量,并与器件资料中的热特性数据进行比对,二者相对误差为0.07%,验证了T3Ster测试仪具有测试宇航级电子元器件热特性的能力。为宇航级电子元器件的热设计与热分析提供重要的实验依据。
    文章是发布在上海坤道信息技术有限公司网站上的在线下载栏目上的,觉得写得挺好的,就拿过来给大家借鉴一下了。传统的电子设备热测试方法测量的均为器件表面的温度,如果要测量元器件内部芯片的温度,则必须破坏其物理结构。T3Ster采用非破坏方法,测得热阻和热容的关系曲线,得到器件的内部热特性,可见T3Ster 功能之强大。
    联系我们请点击http://www.simu-cad.com/contactus.aspx

[ 本帖最后由 surrie 于 2012-11-6 11:05 编辑 ]

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