請問模擬CVD無化學反應的一些問題

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請問
我模擬垂直式CVD旋轉Wafer無化學反應
mixgas有C3H60 and Ar,用濃度梯度代表沉積率
Q1有直接SHOW出濃度梯度的選項嘛?
Q2我設定三種轉速paper上
    wafer轉速越高,濃度梯度越平滑,沉積率越高
   為什麼我做出來
   濃度梯度有變平滑,但是"沉積率卻是下降"呢?

   是我材料性質設定的問題嘛?還是邊界有問題?
   麻煩大家給我解答一下 謝謝