请高手们个我分析下，我模拟的合理么？

cuimin126 · 发表于 2011-8-22 15:17:01

是这样：这是CVD（化学气相沉积）设备内的温度场、流场模拟，暂时还没有把化学反应加进去。做碳化硅半导体材料的。这里面氢气主要是辅助气体，丙烷（C3H8）和硅烷（SiH4）是反应气体，两者按1:3反应生成碳化硅（SiC）。右下方一块衬底（Wall，1623℃），这个是化学气相沉积的反应平台。其实我最终的目的是，模拟在衬底上碳化硅的化学生成速率是不是够均匀。这对产品的质量至关重要。

xrs333 · 发表于 2011-8-22 15:23:23

设备内的实际几何结构。

cuimin126 · 发表于 2011-8-22 15:25:42

绕Y轴（最左边竖直线）的回转体。

cuimin126 · 发表于 2011-8-22 15:28:00

出口是隔一定角度有一个出口。我个人觉得做2D的太牵强。

xrs333 · 发表于 2011-8-22 15:46:20

那大不一样。前面的口舌都白费了。
回转体，应该用2D轴对称模型。出口是隔一个角度一个孔，如要简化，应按等效流通面积折算成宽度。如不简化，可用周期性3D。
追问一句，还有什么没说的？你不说，我们不知道，计算机也不知道。

shirazbj · 发表于 2011-8-22 17:42:14

y轴轴对称，呵呵

cuimin126 · 发表于 2011-8-22 22:19:04

我知道如果轴对称的话应该是X轴作为轴对称结构，我的这个模型要修改的。但是我觉得不应该是轴对称的吧，如果求解器不对的话，也应该是轴对称旋转的吧？

cuimin126 · 发表于 2011-8-22 22:19:56

回转体，应该用2D轴对称模型么？如果求解器不对的话，也应该是轴对称旋转吧？能解释一下么？

cuimin126 · 发表于 2011-8-24 22:12:30

我做了以下实验：把冷却水部分去掉，结果还是有漩涡，接着我又把隔板（steel）去掉，结果就没有漩涡了。真是奇了怪了。。。有人能给解释下么？我觉得肯定之前有冷却水、有steel的时候耦合没有算好，是不对的。

通流 · 发表于 2011-8-25 10:07:05

漩涡在哪里？

shirazbj · 发表于 2011-8-25 19:51:00

隔板在那里？

cuimin126 · 发表于 2011-8-25 21:07:10

隔板在冷却水中间。很细的网格。

cuimin126 · 发表于 2011-8-25 21:07:27

在反应腔的后半部分。

通流 · 发表于 2011-8-26 04:19:07

没有看见流场，怎么知道是涡？

cuimin126 · 发表于 2011-8-26 11:17:28

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